Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.30fr | 1.41fr |
5 - 9 | 1.23fr | 1.33fr |
10 - 24 | 1.17fr | 1.26fr |
25 - 49 | 1.10fr | 1.19fr |
50 - 99 | 1.08fr | 1.17fr |
100 - 249 | 1.05fr | 1.14fr |
250 - 415 | 1.00fr | 1.08fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.30fr | 1.41fr |
5 - 9 | 1.23fr | 1.33fr |
10 - 24 | 1.17fr | 1.26fr |
25 - 49 | 1.10fr | 1.19fr |
50 - 99 | 1.08fr | 1.17fr |
100 - 249 | 1.05fr | 1.14fr |
250 - 415 | 1.00fr | 1.08fr |
Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V - STD3NK80ZT4. Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2000. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 10:25.
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