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Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF13NM60N

Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF13NM60N
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Quantité HT TTC
1 - 4 2.32fr 2.51fr
5 - 9 2.21fr 2.39fr
10 - 24 2.14fr 2.31fr
25 - 49 2.09fr 2.26fr
50 - 99 2.04fr 2.21fr
100 - 122 1.86fr 2.01fr
Quantité U.P
1 - 4 2.32fr 2.51fr
5 - 9 2.21fr 2.39fr
10 - 24 2.14fr 2.31fr
25 - 49 2.09fr 2.26fr
50 - 99 2.04fr 2.21fr
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Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF13NM60N. Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 17:25.

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