Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.16fr | 3.42fr |
5 - 9 | 3.00fr | 3.24fr |
10 - 24 | 2.90fr | 3.13fr |
25 - 49 | 2.84fr | 3.07fr |
50 - 99 | 2.78fr | 3.01fr |
100 - 193 | 2.68fr | 2.90fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.16fr | 3.42fr |
5 - 9 | 3.00fr | 3.24fr |
10 - 24 | 2.90fr | 3.13fr |
25 - 49 | 2.84fr | 3.07fr |
50 - 99 | 2.78fr | 3.01fr |
100 - 193 | 2.68fr | 2.90fr |
Transistor canal N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF9NM60N. Transistor canal N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100mA. Résistance passante Rds On: 0.63 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 452pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 324 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Protection G-S: non. Id(imp): 26A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: 9NM60N. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 26A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 17:25.
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