Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.42fr | 3.70fr |
5 - 9 | 3.25fr | 3.51fr |
10 - 24 | 3.08fr | 3.33fr |
25 - 47 | 2.91fr | 3.15fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.42fr | 3.70fr |
5 - 9 | 3.25fr | 3.51fr |
10 - 24 | 3.08fr | 3.33fr |
25 - 47 | 2.91fr | 3.15fr |
Transistor canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V - STP12NM50. Transistor canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 550V. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 06:25.
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