Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.94fr | 1.02fr |
5 - 9 | 0.89fr | 0.96fr |
10 - 24 | 0.85fr | 0.92fr |
25 - 49 | 0.80fr | 0.86fr |
50 - 78 | 0.78fr | 0.84fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.94fr | 1.02fr |
5 - 9 | 0.89fr | 0.96fr |
10 - 24 | 0.85fr | 0.92fr |
25 - 49 | 0.80fr | 0.86fr |
50 - 78 | 0.78fr | 0.84fr |
Transistor canal N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - STP16NF06. Transistor canal N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.08 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 315pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P16NF06. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 7 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Capacité dv/dt exceptionnelle, faible charge de grille. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 06:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.