Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.26fr | 1.36fr |
5 - 9 | 1.20fr | 1.30fr |
10 - 24 | 1.14fr | 1.23fr |
25 - 49 | 1.07fr | 1.16fr |
50 - 53 | 1.05fr | 1.14fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.26fr | 1.36fr |
5 - 9 | 1.20fr | 1.30fr |
10 - 24 | 1.14fr | 1.23fr |
25 - 49 | 1.07fr | 1.16fr |
50 - 53 | 1.05fr | 1.14fr |
Transistor canal N, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP3NB60. Transistor canal N, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 400pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P3NB60. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 11 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 06:25.
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