Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.91fr | 2.06fr |
5 - 9 | 1.82fr | 1.97fr |
10 - 12 | 1.72fr | 1.86fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.91fr | 2.06fr |
5 - 9 | 1.82fr | 1.97fr |
10 - 12 | 1.72fr | 1.86fr |
Transistor canal N, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - STP3NB80. Transistor canal N, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 4.6 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 440pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 10.4A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 90W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 06:25.
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