Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.00fr | 2.16fr |
5 - 9 | 1.90fr | 2.05fr |
10 - 24 | 1.84fr | 1.99fr |
25 - 49 | 1.80fr | 1.95fr |
50 - 99 | 1.76fr | 1.90fr |
100 - 249 | 1.70fr | 1.84fr |
250+ | 1.64fr | 1.77fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.00fr | 2.16fr |
5 - 9 | 1.90fr | 2.05fr |
10 - 24 | 1.84fr | 1.99fr |
25 - 49 | 1.80fr | 1.95fr |
50 - 99 | 1.76fr | 1.90fr |
100 - 249 | 1.70fr | 1.84fr |
250+ | 1.64fr | 1.77fr |
Transistor canal N, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V - STP4NB80. Transistor canal N, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 13:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.