Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 4.72fr | 5.10fr |
5 - 9 | 4.49fr | 4.85fr |
10 - 20 | 4.25fr | 4.59fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.72fr | 5.10fr |
5 - 9 | 4.49fr | 4.85fr |
10 - 20 | 4.25fr | 4.59fr |
Transistor canal N, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V - STW12NK90Z. Transistor canal N, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 3500pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 964ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Capacité ESD améliorée. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W12NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 88 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.
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