Transistor canal N, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V - STW28N65M2

Quantité	HT	TTC
1 - 1	4.91fr	5.31fr
2 - 2	4.66fr	5.04fr
3 - 4	4.42fr	4.78fr
5 - 9	4.17fr	4.51fr
10 - 19	4.07fr	4.40fr
20 - 25	3.97fr	4.29fr

Quantité	U.P
1 - 1	4.91fr	5.31fr
2 - 2	4.66fr	5.04fr
3 - 4	4.42fr	4.78fr
5 - 9	4.17fr	4.51fr
10 - 19	4.07fr	4.40fr
20 - 25	3.97fr	4.29fr

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Transistor canal N, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V - STW28N65M2. Transistor canal N, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1440pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 28N65M2. Dissipation de puissance maxi: 170W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

Documentation technique