Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.99fr | 4.31fr |
5 - 9 | 3.79fr | 4.10fr |
10 - 24 | 3.59fr | 3.88fr |
25 - 34 | 3.39fr | 3.66fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.99fr | 4.31fr |
5 - 9 | 3.79fr | 4.10fr |
10 - 24 | 3.59fr | 3.88fr |
25 - 34 | 3.39fr | 3.66fr |
Transistor canal N, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V - STW5NB90. Transistor canal N, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1250pF. C (out): 128pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 700 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentations à découpage (SMPS). Id(imp): 22.4A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.
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