Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 5.26fr | 5.69fr |
2 - 2 | 5.00fr | 5.41fr |
3 - 4 | 4.84fr | 5.23fr |
5 - 9 | 4.74fr | 5.12fr |
10 - 19 | 4.63fr | 5.01fr |
20 - 29 | 4.47fr | 4.83fr |
30+ | 4.32fr | 4.67fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.26fr | 5.69fr |
2 - 2 | 5.00fr | 5.41fr |
3 - 4 | 4.84fr | 5.23fr |
5 - 9 | 4.74fr | 5.12fr |
10 - 19 | 4.63fr | 5.01fr |
20 - 29 | 4.47fr | 4.83fr |
30+ | 4.32fr | 4.67fr |
Transistor canal N, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V - TIG056BF-1E. Transistor canal N, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3FS. Tension collecteur/émetteur Vceo: 430V. C (in): 5500pF. C (out): 100pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Divers: flash, contrôle de stroboscope. Fonction: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Diode au Germanium: Suppresseur. Courant de collecteur: 240A. Ic(puls): 240A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Technologie: Enhancement type. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Tension grille - émetteur VGE: 33V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 07:25.
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