Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.35fr | 1.46fr |
5 - 9 | 1.29fr | 1.39fr |
10 - 24 | 1.22fr | 1.32fr |
25 - 49 | 1.15fr | 1.24fr |
50 - 99 | 1.12fr | 1.21fr |
100 - 249 | 1.10fr | 1.19fr |
250 - 913 | 1.04fr | 1.12fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.35fr | 1.46fr |
5 - 9 | 1.29fr | 1.39fr |
10 - 24 | 1.22fr | 1.32fr |
25 - 49 | 1.15fr | 1.24fr |
50 - 99 | 1.12fr | 1.21fr |
100 - 249 | 1.10fr | 1.19fr |
250 - 913 | 1.04fr | 1.12fr |
Transistor canal N, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V - VNN1NV04PTR. Transistor canal N, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 75uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 45V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Idss (min): 30uA. Dissipation de puissance maxi: 7W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 1NV04P. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.
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