Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.09fr | 1.18fr |
5 - 9 | 1.04fr | 1.12fr |
10 - 24 | 1.01fr | 1.09fr |
25 - 49 | 0.98fr | 1.06fr |
50 - 99 | 0.96fr | 1.04fr |
100 - 249 | 0.93fr | 1.01fr |
250 - 438 | 0.90fr | 0.97fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.09fr | 1.18fr |
5 - 9 | 1.04fr | 1.12fr |
10 - 24 | 1.01fr | 1.09fr |
25 - 49 | 0.98fr | 1.06fr |
50 - 99 | 0.96fr | 1.04fr |
100 - 249 | 0.93fr | 1.01fr |
250 - 438 | 0.90fr | 0.97fr |
Transistor canal N, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB - YJP200G06A. Transistor canal N, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 200A. Puissance: 260W. Produit d'origine constructeur Yangjie Electronic Technology. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 02:25.
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