Transistor canal N, 0.0029 Ohms, TO-220AB, 60V - YJP200G06A
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
| 5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
| 10 - 24 | 1.05fr | 1.14fr |
| 25 - 49 | 1.00fr | 1.08fr |
| 50 - 99 | 0.97fr | 1.05fr |
| 100 - 249 | 0.95fr | 1.03fr |
| 250 - 466 | 0.90fr | 0.97fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
| 5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
| 10 - 24 | 1.05fr | 1.14fr |
| 25 - 49 | 1.00fr | 1.08fr |
| 50 - 99 | 0.97fr | 1.05fr |
| 100 - 249 | 0.95fr | 1.03fr |
| 250 - 466 | 0.90fr | 0.97fr |
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Transistor canal N, 0.0029 Ohms, TO-220AB, 60V - YJP200G06A. Transistor canal N, 0.0029 Ohms, TO-220AB, 60V. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 200A. Puissance: 260W. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 12:25.
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