Transistor canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84

Quantité (Lot de 10)	HT	TTC
1 - 1	0.35fr	0.38fr
2 - 2	0.33fr	0.36fr
3 - 4	0.32fr	0.35fr
5 - 9	0.30fr	0.32fr
10 - 24	0.28fr	0.30fr
25 - 49	0.26fr	0.28fr
50 - 4986	0.25fr	0.27fr

Quantité (Lot de 10)	U.P
1 - 1	0.35fr	0.38fr
2 - 2	0.33fr	0.36fr
3 - 4	0.32fr	0.35fr
5 - 9	0.30fr	0.32fr
10 - 24	0.28fr	0.30fr
25 - 49	0.26fr	0.28fr
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Transistor canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84. Transistor canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Id (T=25°C): 130mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 25pF. C (out): 15pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(imp): 520mA. Id (T=100°C): 75mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 11W. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 7 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: 'Enhancement mode vertical D-MOS transistor'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: sérigraphie/code CMS 11W. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

Documentation technique