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Transistor canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V - FQB27P06TM

Transistor canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V - FQB27P06TM
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.47fr 1.59fr
5 - 9 1.40fr 1.51fr
10 - 24 1.32fr 1.43fr
25 - 49 1.25fr 1.35fr
50 - 98 1.22fr 1.32fr
Quantité U.P
1 - 4 1.47fr 1.59fr
5 - 9 1.40fr 1.51fr
10 - 24 1.32fr 1.43fr
25 - 49 1.25fr 1.35fr
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Transistor canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V - FQB27P06TM. Transistor canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1100pF. C (out): 510pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 102A. Id (T=100°C): 19.1A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

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