Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.47fr | 1.59fr |
5 - 9 | 1.40fr | 1.51fr |
10 - 24 | 1.35fr | 1.46fr |
25 - 49 | 1.32fr | 1.43fr |
50 - 99 | 1.29fr | 1.39fr |
100 - 249 | 1.25fr | 1.35fr |
250 - 3327 | 1.21fr | 1.31fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.47fr | 1.59fr |
5 - 9 | 1.40fr | 1.51fr |
10 - 24 | 1.35fr | 1.46fr |
25 - 49 | 1.32fr | 1.43fr |
50 - 99 | 1.29fr | 1.39fr |
100 - 249 | 1.25fr | 1.35fr |
250 - 3327 | 1.21fr | 1.31fr |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -55V, -74A, 200W - IRF4905PBF. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -55V, -74A, 200W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. Boîtier (norme JEDEC): 200W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF4905. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 61 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Infineon. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 02:25.
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