Transistor canal P, SO8 - IRF7342TRPBF

Transistor canal P, SO8 - IRF7342TRPBF. Transistor canal P, SO8. Boîtier: SO8. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Série: HEXFET. Polarité: MOSFET P. Vdss (tension drain à source): -55V. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 3.4A. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: composant monté en surface (CMS). Vgs(th) (Max) @ Id: 8. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): F7342. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Température de fonctionnement: 0.105 Ohms @ -3.4A. Type de montage: SMD. Particularités: 64 ns. Information: 690pF. MSL: 1. Produit d'origine constructeur Infineon. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 07:25.