Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84fr | 1.99fr |
5 - 9 | 1.74fr | 1.88fr |
10 - 24 | 1.72fr | 1.86fr |
25 - 49 | 1.72fr | 1.86fr |
50 - 99 | 1.22fr | 1.32fr |
100 - 249 | 1.18fr | 1.28fr |
250 - 1738 | 1.13fr | 1.22fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84fr | 1.99fr |
5 - 9 | 1.74fr | 1.88fr |
10 - 24 | 1.72fr | 1.86fr |
25 - 49 | 1.72fr | 1.86fr |
50 - 99 | 1.22fr | 1.32fr |
100 - 249 | 1.18fr | 1.28fr |
250 - 1738 | 1.13fr | 1.22fr |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -6.8A, 40W - IRF9520NPBF. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -6.8A, 40W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Boîtier (norme JEDEC): 40W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9520. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 07:25.
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