Transistor canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF9Z34NS

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.29fr	1.39fr
5 - 9	1.23fr	1.33fr
10 - 24	1.16fr	1.25fr
25 - 49	1.10fr	1.19fr
50 - 99	1.07fr	1.16fr
100 - 249	0.95fr	1.03fr
250 - 645	0.90fr	0.97fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.29fr	1.39fr
5 - 9	1.23fr	1.33fr
10 - 24	1.16fr	1.25fr
25 - 49	1.10fr	1.19fr
50 - 99	1.07fr	1.16fr
100 - 249	0.95fr	1.03fr
250 - 645	0.90fr	0.97fr

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 645

Lot de 1

Transistor canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF9Z34NS. Transistor canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 620pF. C (out): 280pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 54ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 14A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 05:25.

Documentation technique