Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms - IRFD9110PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.83fr	0.90fr
5 - 9	0.79fr	0.85fr
10 - 24	0.74fr	0.80fr
25 - 49	0.70fr	0.76fr
50 - 99	0.69fr	0.75fr
100 - 124	0.67fr	0.72fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.83fr	0.90fr
5 - 9	0.79fr	0.85fr
10 - 24	0.74fr	0.80fr
25 - 49	0.70fr	0.76fr
50 - 99	0.69fr	0.75fr
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Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms - IRFD9110PBF. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Boîtier (norme JEDEC): 1.2 Ohms. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9110PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

Documentation technique