Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.81fr | 0.88fr |
5 - 9 | 0.77fr | 0.83fr |
10 - 24 | 0.73fr | 0.79fr |
25 - 49 | 0.69fr | 0.75fr |
50 - 88 | 0.67fr | 0.72fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.81fr | 0.88fr |
5 - 9 | 0.77fr | 0.83fr |
10 - 24 | 0.73fr | 0.79fr |
25 - 49 | 0.69fr | 0.75fr |
50 - 88 | 0.67fr | 0.72fr |
Transistor canal P, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V - IRFL9110. Transistor canal P, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. Id (T=25°C): 1.1A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 100V. C (in): 200pF. C (out): 94pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 8.8A. Id (T=100°C): 0.69A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.
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