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Transistor canal P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML5203

Transistor canal P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML5203
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Quantité HT TTC
1 - 9 0.31fr 0.34fr
10 - 24 0.30fr 0.32fr
25 - 49 0.28fr 0.30fr
50 - 99 0.26fr 0.28fr
100 - 249 0.26fr 0.28fr
250 - 263 0.25fr 0.27fr
Quantité U.P
1 - 9 0.31fr 0.34fr
10 - 24 0.30fr 0.32fr
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50 - 99 0.26fr 0.28fr
100 - 249 0.26fr 0.28fr
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Lot de 1

Transistor canal P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML5203. Transistor canal P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 510pF. C (out): 71pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 2.4A. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS H. Marquage sur le boîtier: H. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Résistance passante Rds On: 0.098 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

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