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Transistor canal P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML6402

Transistor canal P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML6402
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Quantité HT TTC
1 - 9 0.33fr 0.36fr
10 - 24 0.31fr 0.34fr
25 - 49 0.30fr 0.32fr
50 - 99 0.28fr 0.30fr
100 - 249 0.27fr 0.29fr
250 - 309 0.24fr 0.26fr
Quantité U.P
1 - 9 0.33fr 0.36fr
10 - 24 0.31fr 0.34fr
25 - 49 0.30fr 0.32fr
50 - 99 0.28fr 0.30fr
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Transistor canal P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML6402. Transistor canal P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Id (T=25°C): 3.7A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 633pF. C (out): 145pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 22A. Id (T=100°C): 2.2A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 588 ns. Td(on): 350 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

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