Transistor canal P, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - MMBFJ175

Transistor canal P, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - MMBFJ175. Transistor canal P, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (maxi): 60mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 11pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Idss (min): 7mA. IGF: 50mA. Remarque: sérigraphie/code CMS 6W. Marquage sur le boîtier: 6W. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: P-Channel Switch. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 6V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 12:25.