Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
10 - 24 | 1.07fr | 1.16fr |
25 - 49 | 1.05fr | 1.14fr |
50 - 99 | 1.03fr | 1.11fr |
100 - 249 | 0.59fr | 0.64fr |
250 - 3054 | 0.57fr | 0.62fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
10 - 24 | 1.07fr | 1.16fr |
25 - 49 | 1.05fr | 1.14fr |
50 - 99 | 1.03fr | 1.11fr |
100 - 249 | 0.59fr | 0.64fr |
250 - 3054 | 0.57fr | 0.62fr |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -30V - MMBFJ177LT1G. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -30V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -30V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor JFET à canal P. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6Y. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 12:25.
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