Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -500V, -2A - MTP2P50EG
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.26fr | 4.61fr |
| 5 - 9 | 4.05fr | 4.38fr |
| 10 - 24 | 3.92fr | 4.24fr |
| 25 - 49 | 3.75fr | 4.05fr |
| 50 - 99 | 3.62fr | 3.91fr |
| 100+ | 3.49fr | 3.77fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.26fr | 4.61fr |
| 5 - 9 | 4.05fr | 4.38fr |
| 10 - 24 | 3.92fr | 4.24fr |
| 25 - 49 | 3.75fr | 4.05fr |
| 50 - 99 | 3.62fr | 3.91fr |
| 100+ | 3.49fr | 3.77fr |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -500V, -2A - MTP2P50EG. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -500V, -2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTP2P50EG. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 24 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1183pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 12:25.
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