Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11fr | 1.20fr |
5 - 9 | 1.05fr | 1.14fr |
10 - 24 | 1.02fr | 1.10fr |
25 - 49 | 0.99fr | 1.07fr |
50 - 99 | 0.97fr | 1.05fr |
100 - 249 | 0.59fr | 0.64fr |
250 - 6051 | 0.57fr | 0.62fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11fr | 1.20fr |
5 - 9 | 1.05fr | 1.14fr |
10 - 24 | 1.02fr | 1.10fr |
25 - 49 | 0.99fr | 1.07fr |
50 - 99 | 0.97fr | 1.05fr |
100 - 249 | 0.59fr | 0.64fr |
250 - 6051 | 0.57fr | 0.62fr |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A - SI2309CDS-T1-GE3. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: N9. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 210pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 12:25.
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