Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -12V, -3A - SI2315BDS-T1-E3

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.56fr	0.61fr
5 - 9	0.54fr	0.58fr
10 - 24	0.51fr	0.55fr
25 - 49	0.48fr	0.52fr
50 - 99	0.47fr	0.51fr
100 - 249	0.46fr	0.50fr
250 - 13581	0.44fr	0.48fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.56fr	0.61fr
5 - 9	0.54fr	0.58fr
10 - 24	0.51fr	0.55fr
25 - 49	0.48fr	0.52fr
50 - 99	0.47fr	0.51fr
100 - 249	0.46fr	0.50fr
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Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -12V, -3A - SI2315BDS-T1-E3. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -12V, -3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: M5. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.9V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 715pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

Documentation technique