Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, -30V, -5.7A - SI4431BDY-T1-E3

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, -30V, -5.7A - SI4431BDY-T1-E3. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, -30V, -5.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4431BDY-T1-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 13:25.