Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98fr | 1.06fr |
5 - 9 | 0.93fr | 1.01fr |
10 - 24 | 0.91fr | 0.98fr |
25 - 49 | 0.89fr | 0.96fr |
50 - 99 | 0.87fr | 0.94fr |
100 - 249 | 0.84fr | 0.91fr |
250 - 535 | 0.81fr | 0.88fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98fr | 1.06fr |
5 - 9 | 0.93fr | 1.01fr |
10 - 24 | 0.91fr | 0.98fr |
25 - 49 | 0.89fr | 0.96fr |
50 - 99 | 0.87fr | 0.94fr |
100 - 249 | 0.84fr | 0.91fr |
250 - 535 | 0.81fr | 0.88fr |
Transistor canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - STD10P6F6. Transistor canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. C (in): 340pF. C (out): 40pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 7.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 10P6F6. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 64 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 07:25.
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