Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.72fr | 1.86fr |
5 - 9 | 1.63fr | 1.76fr |
10 - 24 | 1.54fr | 1.66fr |
25 - 49 | 1.46fr | 1.58fr |
50 - 99 | 1.42fr | 1.54fr |
100 - 114 | 1.29fr | 1.39fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.72fr | 1.86fr |
5 - 9 | 1.63fr | 1.76fr |
10 - 24 | 1.54fr | 1.66fr |
25 - 49 | 1.46fr | 1.58fr |
50 - 99 | 1.42fr | 1.54fr |
100 - 114 | 1.29fr | 1.39fr |
Transistor D44H11. Transistor. C (out): 130pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: D44H11. Equivalences: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45H11. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.
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