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Transistor HGTG5N120BND

Transistor HGTG5N120BND
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Transistor HGTG5N120BND. Transistor. Type de canal: N. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 40A. Ic(T=100°C): 10A. Marquage sur le boîtier: 5N120BND. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.

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