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Transistor IXTQ36N30P

Transistor IXTQ36N30P
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Transistor IXTQ36N30P. Transistor. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 92m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 20:25.

Documentation technique

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IXTP36N30P
Transistor. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 92m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non
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