Transistor KSA733-Y
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.39fr | 0.42fr |
| 10 - 24 | 0.37fr | 0.40fr |
| 25 - 49 | 0.36fr | 0.39fr |
| 50 - 99 | 0.34fr | 0.37fr |
| 100 - 249 | 0.33fr | 0.36fr |
| 250 - 499 | 0.32fr | 0.35fr |
| 500+ | 0.30fr | 0.32fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.39fr | 0.42fr |
| 10 - 24 | 0.37fr | 0.40fr |
| 25 - 49 | 0.36fr | 0.39fr |
| 50 - 99 | 0.34fr | 0.37fr |
| 100 - 249 | 0.33fr | 0.36fr |
| 250 - 499 | 0.32fr | 0.35fr |
| 500+ | 0.30fr | 0.32fr |
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Transistor KSA733-Y. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Courant de collecteur: 0.15A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 20:25.
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Transistor. Boîtier: TO-92. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -50V. C (in): -0.1A. C (out): 1W. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non
Transistor. Boîtier: TO-92. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -50V. C (in): -0.1A. C (out): 1W. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V
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