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Transistor BC212B

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Transistor BC212B. Transistor. Boîtier: TO-92. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -50V. C (in): -0.1A. C (out): 1W. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.

Documentation technique

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