Transistor MJ15022
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.42fr | 3.70fr |
| 5 - 9 | 3.25fr | 3.51fr |
| 10 - 24 | 3.08fr | 3.33fr |
| 25 - 29 | 2.91fr | 3.15fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.42fr | 3.70fr |
| 5 - 9 | 3.25fr | 3.51fr |
| 10 - 24 | 3.08fr | 3.33fr |
| 25 - 29 | 2.91fr | 3.15fr |
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Transistor MJ15022. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Courant de collecteur: 16A. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 14:25.
Produits équivalents :
MJ15022-ONS
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Aud...
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Diode BE: non. Diode CE: oui
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Diode BE: non. Diode CE: oui
Nous vous recommandons aussi :
MJ15023-ONS
Transistor. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MH...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MJ2955
Transistor. C (out): 4pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MH...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MJ15016-ONS
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Gain hFE ma...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
KUY12
Transistor. C (out): 0.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 11 M...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BDX54C
Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducte...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MJE340
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-32. Boîtier (norme JED...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRFZ44N
Transistor. C (in): 1470pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner....
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
TIP3055
Transistor. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-247. Conditionnement: tube en plastique. Matér...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MJ15024-ONS
Transistor. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MH...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2N3773
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.2 MHz. Courant de ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.