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Semi-conducteurs Transistors

Transistor MJE210G

Transistor MJE210G
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5 - 9 0.59fr 0.64fr
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Transistor MJE210G. Transistor. C (out): 120pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE200. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 10:25.

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