Transistor MOSFET HGTG30N60B3D

Quantité	HT	TTC
1 - 1	10.13fr	10.95fr
2 - 2	9.62fr	10.40fr
3 - 4	9.42fr	10.18fr
5 - 9	9.12fr	9.86fr
10 - 14	8.92fr	9.64fr
15 - 19	8.61fr	9.31fr
20 - 21	8.31fr	8.98fr

Quantité	U.P
1 - 1	10.13fr	10.95fr
2 - 2	9.62fr	10.40fr
3 - 4	9.42fr	10.18fr
5 - 9	9.12fr	9.86fr
10 - 14	8.92fr	9.64fr
15 - 19	8.61fr	9.31fr
20 - 21	8.31fr	8.98fr

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Transistor MOSFET HGTG30N60B3D. Transistor MOSFET. Diode CE: non. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Diode au Germanium: non. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 03:25.

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