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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NDF10N60ZG

Transistor NDF10N60ZG
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Transistor NDF10N60ZG. Transistor. C (in): 1373pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 395 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 00:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK60ZFP. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui
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