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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NJW0281G

Transistor NJW0281G
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2 - 2 5.37fr 5.80fr
3 - 4 5.09fr 5.50fr
5 - 9 4.81fr 5.20fr
10 - 19 4.69fr 5.07fr
20 - 29 4.58fr 4.95fr
30 - 65 4.41fr 4.77fr
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1 - 1 5.66fr 6.12fr
2 - 2 5.37fr 5.80fr
3 - 4 5.09fr 5.50fr
5 - 9 4.81fr 5.20fr
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20 - 29 4.58fr 4.95fr
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Transistor NJW0281G. Transistor. C (in): 4.5pF. C (out): 10pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW0281. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 00:25.

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Transistor. C (out): 1.7pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE 45(min). Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL3281A. Diode BE: non. Diode CE: non
MJL1302A
Transistor. C (out): 1.7pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE 45(min). Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL3281A. Diode BE: non. Diode CE: non
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7.98fr TTC
(7.38fr HT)
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NJW1302

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Transistor. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: siliciu...
NJW1302
Transistor. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW3281. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW3281. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
7.36fr TTC
(6.81fr HT)
7.36fr
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1987. Diode CE: oui
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8.96fr TTC
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL1302A. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Date de production: 201452 201512. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW1302. Diode BE: non. Diode CE: non
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