Transistor NPN, 0.5A, 200V - 2SC1962
| Quantité | HT | TTC |
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| 1 - 4 | 1.78fr | 1.92fr |
| 5 - 5 | 1.70fr | 1.84fr |
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Transistor NPN, 0.5A, 200V - 2SC1962. Transistor NPN, 0.5A, 200V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 25/04/2025, 11:25.
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Transistor NPN, 0.5A, 250V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Fonction: VID-L. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1
Transistor NPN, 0.5A, 250V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Fonction: VID-L. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1
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Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-32. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE340. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 240. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350
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Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Remarque: boîtier plastique. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Diode BE: non. Diode CE: non
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