Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.93fr | 1.01fr |
5 - 9 | 0.89fr | 0.96fr |
10 - 24 | 0.86fr | 0.93fr |
25 - 49 | 0.84fr | 0.91fr |
50 - 99 | 0.82fr | 0.89fr |
100 - 249 | 0.79fr | 0.85fr |
250+ | 0.76fr | 0.82fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.93fr | 1.01fr |
5 - 9 | 0.89fr | 0.96fr |
10 - 24 | 0.86fr | 0.93fr |
25 - 49 | 0.84fr | 0.91fr |
50 - 99 | 0.82fr | 0.89fr |
100 - 249 | 0.79fr | 0.85fr |
250+ | 0.76fr | 0.82fr |
Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - 2SC2236. Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Dissipation de puissance maxi: 900mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA966. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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