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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - 2SC2500

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - 2SC2500
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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - 2SC2500. Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 5A. Marquage sur le boîtier: C2500. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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