Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.13fr | 3.38fr |
5 - 9 | 2.97fr | 3.21fr |
10 - 24 | 2.88fr | 3.11fr |
25 - 49 | 2.81fr | 3.04fr |
50 - 99 | 2.75fr | 2.97fr |
100 - 249 | 2.31fr | 2.50fr |
250 - 305 | 2.23fr | 2.41fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.13fr | 3.38fr |
5 - 9 | 2.97fr | 3.21fr |
10 - 24 | 2.88fr | 3.11fr |
25 - 49 | 2.81fr | 3.04fr |
50 - 99 | 2.75fr | 2.97fr |
100 - 249 | 2.31fr | 2.50fr |
250 - 305 | 2.23fr | 2.41fr |
Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR. Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Remarque: sérigraphie/code CMS DG. Marquage sur le boîtier: DG. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1163. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 300mV. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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