Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.55fr | 0.59fr |
10 - 24 | 0.20fr | 0.22fr |
25 - 49 | 0.14fr | 0.15fr |
50 - 99 | 0.0979fr | 0.1058fr |
100 - 249 | 0.0958fr | 0.1036fr |
250 - 250 | 0.0925fr | 0.1000fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.55fr | 0.59fr |
10 - 24 | 0.20fr | 0.22fr |
25 - 49 | 0.14fr | 0.15fr |
50 - 99 | 0.0979fr | 0.1058fr |
100 - 249 | 0.0958fr | 0.1036fr |
250 - 250 | 0.0925fr | 0.1000fr |
Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC847A. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 1.5pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 110. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 1E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1E. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Produit d'origine constructeur Nxp Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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