Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V - BC850C
| Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 0.84fr | 0.91fr |
| 2 - 2 | 0.79fr | 0.85fr |
| 3 - 4 | 0.75fr | 0.81fr |
| 5 - 9 | 0.71fr | 0.77fr |
| 10 - 24 | 0.67fr | 0.72fr |
| 25 - 49 | 0.63fr | 0.68fr |
| 50 - 214 | 0.59fr | 0.64fr |
| Quantité (Lot de 10) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 0.84fr | 0.91fr |
| 2 - 2 | 0.79fr | 0.85fr |
| 3 - 4 | 0.75fr | 0.81fr |
| 5 - 9 | 0.71fr | 0.77fr |
| 10 - 24 | 0.67fr | 0.72fr |
| 25 - 49 | 0.63fr | 0.68fr |
| 50 - 214 | 0.59fr | 0.64fr |
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Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V - BC850C. Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 2G. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 08:25.
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