Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.76fr | 0.82fr |
2 - 2 | 0.73fr | 0.79fr |
3 - 4 | 0.69fr | 0.75fr |
5 - 9 | 0.65fr | 0.70fr |
10 - 24 | 0.61fr | 0.66fr |
25 - 49 | 0.57fr | 0.62fr |
50 - 92 | 0.53fr | 0.57fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.76fr | 0.82fr |
2 - 2 | 0.73fr | 0.79fr |
3 - 4 | 0.69fr | 0.75fr |
5 - 9 | 0.65fr | 0.70fr |
10 - 24 | 0.61fr | 0.66fr |
25 - 49 | 0.57fr | 0.62fr |
50 - 92 | 0.53fr | 0.57fr |
Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V - MMBT2222ALT1. Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. C (out): 5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: UNI. Gain hFE mini: 100. Marquage sur le boîtier: 1 P. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Spec info: SMD 1P. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 25/04/2025, 18:25.
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