Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.49fr | 0.53fr |
5 - 9 | 0.47fr | 0.51fr |
10 - 24 | 0.44fr | 0.48fr |
25 - 49 | 0.42fr | 0.45fr |
50 - 99 | 0.40fr | 0.43fr |
100 - 109 | 0.37fr | 0.40fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.49fr | 0.53fr |
5 - 9 | 0.47fr | 0.51fr |
10 - 24 | 0.44fr | 0.48fr |
25 - 49 | 0.42fr | 0.45fr |
50 - 99 | 0.40fr | 0.43fr |
100 - 109 | 0.37fr | 0.40fr |
Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V - MMBT2907ALT1G. Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1.2A. Marquage sur le boîtier: 2F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 25/04/2025, 17:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.