Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC857C

Quantité (Lot de 10)	HT	TTC
1 - 4	0.56fr	0.61fr
5 - 9	0.53fr	0.57fr
10 - 24	0.50fr	0.54fr
25 - 49	0.43fr	0.46fr
50 - 99	0.41fr	0.44fr
100 - 149	0.38fr	0.41fr
150 - 392	0.36fr	0.39fr

Quantité (Lot de 10)	U.P
1 - 4	0.56fr	0.61fr
5 - 9	0.53fr	0.57fr
10 - 24	0.50fr	0.54fr
25 - 49	0.43fr	0.46fr
50 - 99	0.41fr	0.44fr
100 - 149	0.38fr	0.41fr
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Lot de 10

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC857C. Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 11:25.

Documentation technique